Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC658P, SuperSOT-6, -30В, -4А (набор 20 шт.)

Транзистор ONSEMI FDC658P — это униполярный P-MOSFET с каналом обогащения. Компонент выполнен в компактном корпусе SuperSOT-6 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 20 штук.

• Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -4 А
• Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 80 мОм
• Мощность рассеивания: 1,6 Вт
• Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до -30 В и выдерживает ток стока до -4 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 80 мОм. Общий заряд затвора равен 12 нКл, а максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-6. Мощность рассеивания составляет 1,6 Вт, что определяет тепловой режим работы устройства.