Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC653N, 30В, 5А, SuperSOT-6 (набор 20 шт.)
2 110 ₴
- В наличии
- Код: TM073649
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC653N, 30В, 5А, SuperSOT-6 (набор 20 шт.)В наличии
2 110 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC653N — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в компактном корпусе SuperSOT-6 для поверхностного монтажа (SMD) и поставляется набором из 20 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 5 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 56 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 20 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 30 В и выдерживает ток стока 5 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 56 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность равна 1,6 Вт, а заряд затвора — 16 нКл.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус SuperSOT-6 и тип монтажа SMD.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 56 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 110 ₴