
Транзистор ONSEMI FDC6401N N-MOSFET x2, SuperSOT-6, 20V, 3A (набор 20 шт.)
1 910 ₴
- В наличии
- Код: TM073648
Транзистор ONSEMI FDC6401N — это двойной N-канальный MOSFET в корпусе SuperSOT-6, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 20 штук, что обеспечивает запас компонентов для серийного производства или ремонта плат.
- Двойной N-канальный MOSFET (N-MOSFET x2)
- Напряжение сток-исток 20 В, ток стока 3 А
- Корпус SuperSOT-6 для SMD-монтажа
- Сопротивление в открытом состоянии 106 мОм
- Рассеиваемая мощность 0,96 Вт
- Комплект: 20 транзисторов
Электрические параметры и мощность
Устройство имеет напряжение сток-исток 20 В и ток стока 3 А, что определяет его рабочий диапазон в низковольтных схемах. Сопротивление в открытом состоянии составляет 106 мОм, что минимизирует потери энергии при прохождении тока. Максимальная рассеиваемая мощность ограничена 0,96 Вт, поэтому транзистор требует надлежащего теплового режима.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®, что влияет на его быстродействие и эффективность. Корпус SuperSOT-6 является компактным решением для SMD-монтажа, позволяя экономить место на печатной плате. Заряд затвора составляет 4,6 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±12 В, что определяет требования к управляющему сигналу.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.96 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 12 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 106 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 1 910 ₴
