Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC6401N, 20 В, 3 А, SuperSOT-6 (набор 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC6401N — это полевой транзистор с каналом типа n, предназначенный для поверхностного монтажа. Модель выполнена в корпусе SuperSOT-6 и реализуется набором из 20 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 В
• Максимально допустимый ток стока: 3 А
• Корпус: SuperSOT-6, монтаж поверхностный
• Сопротивление в открытом состоянии: 106 мОм
• Количество в наборе: 20 шт.

Электрические параметры

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 20 В, а напряжение затвор-исток — 12 В. Максимальный ток стока равен 3 А, что определяет рабочий диапазон устройства. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 106 мОм, что влияет на тепловые потери при коммутации. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 0,96 Вт.

Конструкция и монтаж

Транзистор изготовлен по технологии PowerTrench® в корпусе SuperSOT-6. Тип монтажа — поверхностный (SMD), что требует соответствующего оборудования для пайки. Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode), а полярность — униполярной. Заряд затвора составляет 4,6 нКл.

Комплектация и идентификация

В комплекте поставляется 20 транзисторов. Символ производителя: FDC6401N.