Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC638APZ, SuperSOT-6, -20В, -4,5А (комплект 30 шт.)

P-канальный полевой транзистор ONSEMI FDC638APZ в корпусе SuperSOT-6. Предназначен для поверхностного монтажа на плату (SMD). Поставляется комплектом из 30 штук.

• Тип: P-MOSFET, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -20 В
• Ток стока: -4,5 А
• Сопротивление в открытом состоянии: 72 мОм
• Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
• Корпус: SuperSOT-6 (SMD)
• Комплектация: 30 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор работает при напряжении сток-исток -20 В и выдерживает ток стока -4,5 А. Низкое сопротивление в открытом состоянии 72 мОм снижает потери энергии во время работы. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт, что определяет тепловой режим компонента.

Корпус и монтаж

Компонент размещен в компактном корпусе SuperSOT-6, что позволяет экономить место на плате. Технология монтажа SMD обеспечивает автоматизированную установку и надежный контакт. Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®, которая оптимизирует быстродействие и эффективность полевых транзисторов.