Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637AN, 20V, 6,2A, SuperSOT-6 (30 шт.)
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM073647
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637AN, 20V, 6,2A, SuperSOT-6 (30 шт.)В наличии
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC637AN — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SuperSOT-6 с технологией PowerTrench®, рассчитана на напряжение 20 В и ток 6,2 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 20 В
- Ток стока: 6,2 А
- Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Технология: PowerTrench®
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры и заряд затвора
Транзистор работает с напряжением сток-исток 20 В и выдерживает напряжение затвор-исток ±20 В. Максимальный ток стока составляет 6,2 А, а рассеиваемая мощность — 1,6 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 41 мОм. Заряд затвора равен 16 нКл.
Корпус и монтаж
Компонент изготовлен в корпусе SuperSOT-6 с применением технологии PowerTrench®. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 транзисторов. Код производителя для идентификации компонента — FDC637AN.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 6.2 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 41 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴