Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарная пара, SuperSOT-6, 30 шт.

2 320 ₴

  • В наличии
  • Код: TM035588
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарная пара, SuperSOT-6, 30 шт.
Транзистор N/P-MOSFET ONSEMI FDC6333C, комплементарная пара, SuperSOT-6, 30 шт.В наличии
2 320 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 30 комплементарных транзисторов ONSEMI FDC6333C в корпусе SuperSOT-6. Это N/P-MOSFET пары с напряжением 30/-30 В и током 2,5/-2 А, предназначенные для SMD-монтажа.

  • Комплект из 30 транзисторов
  • Комплементарная пара N/P-MOSFET
  • Напряжение сток-исток 30/-30 В
  • Ток стока 2,5/-2 А
  • Корпус SuperSOT-6, монтаж SMD
  • Технология PowerTrench®

Комплементарная пара N/P-MOSFET

Транзистор FDC6333C является комплементарной парой, объединяющей N-канальный и P-канальный MOSFET в одном корпусе. Каналы являются обогащаемыми (enhancement mode), что обеспечивает стандартную логику управления.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 30 В для N-канала и -30 В для P-канала. Ток стока равен 2,5 А и -2 А соответственно. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) — 150 мОм для N-канала и 220 мОм для P-канала. Рассеиваемая мощность — 0,96 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-6 с технологией PowerTrench®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Заряд затвора (Qg) составляет 6,6 нКл для N-канала и 5,7 нКл для P-канала. Напряжение затвор-исток — ±16/±25 В.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания0.96 Вт
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораБиполярный
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте30 шт.
КорпусSuperSOT-6
ТехнологияPowerTrench®
Информация для заказа
  • Цена: 2 320 ₴