Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор ONSEMI FDC6327C, N/P-MOSFET, комплементарная пара, SuperSOT-6, 20 шт.

2 230 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073644
Транзистор ONSEMI FDC6327C, N/P-MOSFET, комплементарная пара, SuperSOT-6, 20 шт.
Транзистор ONSEMI FDC6327C, N/P-MOSFET, комплементарная пара, SuperSOT-6, 20 шт.В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Комплект из 20 комплементарных транзисторов ONSEMI FDC6327C типа N/P-MOSFET в корпусе SuperSOT-6. Предназначен для монтажа на поверхность платы (SMD).

  • Комплект из 20 транзисторов
  • Тип: комплементарная пара N/P-MOSFET
  • Корпус: SuperSOT-6 (SMD монтаж)
  • Напряжение сток-исток: 20/-20 В
  • Ток стока: 2,7/-1,9 А
  • Рассеиваемая мощность: 0,96 Вт

Комплементарная пара N/P-MOSFET

Транзистор FDC6327C представляет собой комплементарную пару, содержащую в одном корпусе два полевых транзистора: N-канальный и P-канальный. Такая конструкция объединяет два транзистора в одном корпусе. Оба транзистора являются униполярными и имеют канал обогащения.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 20 В для N-канального и -20 В для P-канального транзисторов. Максимальный ток стока равен 2,7 А и -1,9 А соответственно. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,13 Ом для N-канала и 0,27 Ом для P-канала. Максимальная рассеиваемая мощность — 0,96 Вт.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-6, предназначенном для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,96 Вт. Напряжение затвор-исток равно ±8 В.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания0.96 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток8 В
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораБиполярный
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте20 шт.
КорпусSuperSOT-6
Информация для заказа
  • Цена: 2 230 ₴