Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC6318P, SuperSOT-6, 30 шт.
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM073641
Транзистор ONSEMI FDC6318P — это комплект из 30 штук двойных P-канальных MOSFET-транзисторов в корпусе SuperSOT-6. Предназначен для поверхностного монтажа (SMD) в электронных схемах, где требуется управление током до -2,5 А при напряжении -12 В.
- Комплект из 30 транзисторов P-MOSFET
- Корпус SuperSOT-6 для поверхностного монтажа (SMD)
- Ток стока до -2,5 А
- Напряжение сток-исток -12 В
- Сопротивление в состоянии проводности 0,2 Ом
- Технология PowerTrench®
Электрические параметры
Транзистор является униполярным P-MOSFET с двумя каналами в одном корпусе. Максимальный ток стока составляет -2,5 А, а напряжение сток-исток — -12 В. Сопротивление в состоянии проводности равно 0,2 Ом. Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-6. Используется технология PowerTrench®. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
В упаковке поставляется 30 транзисторов FDC6318P. Маркировка производителя: FDC6318P. Рассеиваемая мощность составляет 0,96 Вт. Заряд затвора равен 8 нКл. Канал является обогащаемым.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.96 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 8 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 200 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 2 130 ₴