Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC610PZ, SuperSOT-6, -30В, -4,9А (набор 30 шт.)
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM073637
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC610PZ, SuperSOT-6, -30В, -4,9А (набор 30 шт.)В наличии
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC610PZ — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 30 штук в корпусе SuperSOT-6.
- Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -4,9 А
- Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 75 мОм
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 30 штук
Напряжение и ток
Транзистор работает при напряжении сток-исток до -30 В и выдерживает ток стока до -4,9 А. Напряжение затвор-исток ограничено величиной ±25 В.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости равно 75 мОм. Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®.
Корпус и комплектация
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴