Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC5614P, SuperSOT-6, -60В, -3А (комплект 30 шт.)
2 170 ₴
- В наличии
- Код: TM035587
Транзистор P-MOSFET ONSEMI FDC5614P, SuperSOT-6, -60В, -3А (комплект 30 шт.)В наличии
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
P-канальный MOSFET-транзистор ONSEMI FDC5614P в корпусе SuperSOT-6. Максимальное напряжение сток-исток составляет -60 В. Поставляется комплектом из 30 штук.
- Тип: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: -60 В
- Ток стока: -3 А
- Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 0,19 Ом
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Комплект: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток -60 В и ток стока -3 А. Рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 0,19 Ом.
Технология и монтаж
Изделие изготовлено по технологии PowerTrench®. Это униполярный транзистор с каналом обогащения (enhancement mode). Монтаж выполняется методом SMD.
Дополнительные параметры и комплектация
В упаковке содержится 30 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 24 нКл.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 170 ₴