Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC3601N, SuperSOT-6, 100В, 1А (набор 30 шт.)
2 510 ₴
- В наличии
- Код: TM035585
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC3601N, SuperSOT-6, 100В, 1А (набор 30 шт.)В наличии
2 510 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDC3601N — это униполярный компонент с двойным каналом в корпусе SuperSOT-6. Устройство рассчитано на напряжение 100 В и ток 1 А.
- Тип: N-MOSFET x2, униполярный
- Корпус: SuperSOT-6, монтаж SMD
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 1 А
- Рассеиваемая мощность: 0,96 Вт
- Сопротивление в состоянии проводности: 976 мОм
- Количество в наборе: 30 шт.
Технические параметры
Транзистор имеет тип канала N-MOSFET x2 и униполярную полярность. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 100 В, а допустимый ток стока — 1 А. Сопротивление в состоянии проводности равно 976 мОм.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе SuperSOT-6 и предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,96 Вт.
Комплектация
Товар поставляется как набор из 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.96 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 976 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SuperSOT-6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 510 ₴