Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB5800, 60 В, 80 А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB5800 — это силовой полупроводниковый прибор в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонта электронных блоков. Полярность транзистора — униполярная, что упрощает схемотехнику управления.

• Ток стока 80 А для мощных силовых цепей
• Напряжение сток-исток 60 В
• Рассеиваемая мощность 242 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 12,6 мОм
• Корпус D2PAK для SMD монтажа
• Комплект из 10 транзисторов

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на максимальную рассеиваемую мощность 242 Вт и постоянный ток стока 80 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими нагрузками, где важна стабильность работы при большом токе.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии равно 12,6 мОм, что обеспечивает низкие потери энергии и минимальный нагрев при прохождении тока.

Низкие потери и эффективность переключения

Технология PowerTrench® обеспечивает быстрое переключение и снижение потерь энергии. Заряд затвора составляет 135 нКл, что влияет на скорость управления транзистором. Канал типа «обогащение» (enhancement mode) гарантирует надежное открывание при подаче напряжения на затвор.