Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB44N25TM, 250В, 26,4А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 880 ₴
- В наличии
- Код: TM018569
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB44N25TM, 250В, 26,4А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 880 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB44N25TM — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD) и реализуется комплектом из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Напряжение сток-исток: 250 В
- Ток стока: 26,4 А
- Рассеиваемая мощность: 307 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 69 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплектация: набор из 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 250 В и ток стока 26,4 А. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В.
Мощность и сопротивление
Максимальная рассеиваемая мощность составляет 307 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в состоянии проводимости составляет 69 мОм, а заряд затвора — 61 нКл.
Монтаж и комплектация
Компонент изготовлен по технологии UniFET™ в корпусе D2PAK для монтажа SMD. В комплекте поставляется 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 307 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 26.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 69 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | UniFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 880 ₴