Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB3652, 100 В, 61 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 720 ₴
- В наличии
- Код: TM018568
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB3652, 100 В, 61 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB3652 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе D2PAK с технологией PowerTrench®.
- Ток стока 61 А
- Рассеиваемая мощность 150 Вт
- Напряжение сток-исток 100 В
- Корпус D2PAK, монтаж SMD
- Технология PowerTrench®
- Набор из 10 транзисторов
Параметры тока и мощности
Транзистор имеет постоянный ток стока 61 А и рассеиваемую мощность 150 Вт. Заряд затвора составляет 53 нКл, а сопротивление в открытом состоянии — 43 мОм.
Вольтные характеристики
Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В.
Корпус и монтаж
Компонент имеет корпус D2PAK и предназначен для поверхностного монтажа (SMD).
Комплектация
Товар поставляется набором из 10 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 61 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 43 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 720 ₴