Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB33N25TM, 250В, 33А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 480 ₴
- В наличии
- Код: TM073635
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB33N25TM, 250В, 33А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
2 480 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 10 транзисторов ONSEMI FDB33N25TM типа N-MOSFET в корпусе D2PAK. Компоненты предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и работают по технологии UniFET™.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, канал с обогащением
- Напряжение сток-исток: 250 В
- Ток стока: 33 А
- Рассеиваемая мощность: 235 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 94 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Технология: UniFET™
- Комплектация: 10 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют напряжение сток-исток 250 В и ток стока 33 А. Рассеиваемая мощность составляет 235 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 94 мОм.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе D2PAK. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 235 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 250 В |
| Максимально допустимый ток стока | 33 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 94 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | UniFET™ |
Информация для заказа
- Цена: 2 480 ₴