Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2572, 150 В, 29 А, D2PAK (набор 10 шт.)
2 600 ₴
- В наличии
- Код: TM018567
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2572 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации в электронных схемах. Модель отличается рабочим напряжением 150 В и током стока 29 А. Товар поставляется комплектом из 10 штук в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).
- Ток стока 29 А
- Рабочее напряжение 150 В
- Рассеиваемая мощность 135 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии 146 мОм
- Корпус D2PAK для SMD монтажа
- Комплект из 10 транзисторов
Мощность и ток
Транзистор способен рассеивать мощность до 135 Вт, что позволяет использовать его в схемах с высокой нагрузкой. Максимальный ток стока составляет 29 А, что обеспечивает эффективную коммутацию мощных нагрузок.
Электрические характеристики
Рабочее напряжение между стоком и истоком (VDS) равно 150 В, что определяет класс напряжения устройства. Напряжение на затворе (VGS) может изменяться в пределах ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) составляет 146 мОм.
Технология и монтаж
Компонент изготовлен по технологии PowerTrench®. Корпус D2PAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Заряд затвора составляет 34 нКл.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 135 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 29 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 146 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | PowerTrench® |
- Цена: 2 600 ₴