Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2532, 150 В, 56 А, D2PAK (набор 10 шт.)
3 680 ₴
- В наличии
- Код: TM018566
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2532, 150 В, 56 А, D2PAK (набор 10 шт.)В наличии
3 680 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB2532 — это полупроводниковый прибор. Модель рассчитана на напряжение 150 В и ток 56 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе D2PAK.
- Тип: N-MOSFET, униполярный, обогащенный канал
- Максимальное напряжение сток-исток: 150 В
- Максимальный ток стока: 56 А
- Рассеиваемая мощность: 310 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 14 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Набор: 10 транзисторов
Электрические параметры
Транзистор имеет максимальную рассеиваемую мощность 310 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет 14 мОм.
Монтаж и технология
Компонент выполнен в корпусе D2PAK с технологией монтажа SMD. Технология PowerTrench® от производителя ONSEMI. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Транзистор ONSEMI FDB2532 поставляется набором из 10 штук.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 310 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 150 В |
| Максимально допустимый ток стока | 56 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 3 680 ₴