Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB15N50, 500В, 11А, D2PAK (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB15N50 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения и максимальной рассеиваемой мощностью 300 Вт. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе D2PAK, что обеспечивает удобство для массового монтажа и серийного производства.

• Напряжение сток-исток: 500 В
• Ток стока: 11 А
• Мощность рассеивания: 300 Вт
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,33 Ом
• Комплектация: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток стока 11 А. Это позволяет использовать компонент в силовых цепях с высокими требованиями к изоляции и пропускной способности.

Эффективное рассеивание тепла

Мощность рассеивания составляет 300 Вт, что требует надлежащего теплового режима при эксплуатации. Корпус D2PAK, монтаж SMD. Сопротивление в открытом состоянии: 0,33 Ом.

Удобство для производства

Комплектация: набор 10 шт. Монтаж: SMD. Технология: UniFET™.