Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB13AN06A0, 60В, 62А, D2PAK (комплект 20 шт.)
3 260 ₴
- В наличии
- Код: TM035584
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB13AN06A0, 60В, 62А, D2PAK (комплект 20 шт.)В наличии
3 260 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB13AN06A0 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD) и реализует технологию PowerTrench®. Комплект состоит из 20 единиц.
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Ток стока: 62 А
- Рассеиваемая мощность: 115 Вт
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Комплект: 20 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 62 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 34 мОм. Напряжение затвор-исток ограничено диапазоном ±20 В, а суммарный заряд затвора равен 29 нКл.
Тепловые характеристики и монтаж
Прибор имеет рассеиваемую мощность 115 Вт. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD. Технология PowerTrench®.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 62 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 34 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 3 260 ₴