Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB035AN06A0, 60В, 80А, D2PAK (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB035AN06A0 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 80 А при напряжении 60 В. Товар поставляется комплектом из 5 штук в корпусе D2PAK для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 60 В
• Ток стока: 80 А
• Мощность рассеивания: 310 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 7,1 мОм
• Корпус: D2PAK, монтаж SMD
• Комплектация: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток 60 В и выдерживает постоянный ток стока 80 А. Мощность рассеивания составляет 310 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 7,1 мОм, а заряд затвора — 124 нКл.

Корпус и технология

Компонент изготовлен по технологии PowerTrench® и размещен в корпусе D2PAK. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Транзистор является униполярным с каналом обогащения. Заряд затвора равен 124 нКл. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 7,1 мОм.