Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L, 80В, 190А, D2PAK-6 (5 шт.)
2 720 ₴
- В наличии
- Код: TM018564
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L, 80В, 190А, D2PAK-6 (5 шт.)В наличии
2 720 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDB0190N807L — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 элементов в корпусе D2PAK-6 для поверхностного монтажа (SMD).
- Ток стока 190 А
- Импульсный ток 1440 А
- Напряжение сток-исток 80 В
- Сопротивление в открытом состоянии 4,3 мОм
- Рассеиваемая мощность 250 Вт
- Корпус D2PAK-6, монтаж SMD
- Комплект: 5 шт.
Ток и сопротивление
Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 190 А и импульсный ток до 1440 А.## Мощность
Напряжение и заряд затвора
Максимальное напряжение сток-исток составляет 80 В, а напряжение затвор-исток — ±20 В. Общий заряд затвора — 249 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора.
Монтаж и корпус
Компонент выполнен в корпусе D2PAK-6. Технология монтажа SMD позволяет автоматизировать процесс установки на печатные платы, обеспечивая компактность.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 250 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 80 В |
| Максимально допустимый ток стока | 190 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 4.3 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | D2PAK-6 |
Информация для заказа
- Цена: 2 720 ₴