Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA69N25, 250V, 44.2A, TO3PN (5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA69N25 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения. Комплект состоит из 5 единиц в корпусе TO3PN с выводами для монтажа на плату (THT).

• Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 250 В
• Ток стока: 44,2 А (постоянный), 276 А (импульсный)
• Мощность рассеивания: 480 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 41 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 250 В и постоянный ток стока 44,2 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 276 А. Мощность рассеивания составляет 480 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости — 41 мОм.

Корпус и монтаж

Прибор выполнен в корпусе TO3PN. Монтаж осуществляется методом THT (through-hole technology), то есть выводы впаиваются в отверстия печатной платы.

Комплектация

В упаковке находится 5 транзисторов FDA69N25.