Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA59N30, 300 В, 35 А, TO3PN (набор 5 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA59N30 — это униполярный полупроводниковый прибор с каналом обогащения, рассчитанный на напряжение 300 В и ток 35 А. Товар поставляется набором из 5 штук в корпусе TO3PN для монтажа на плату.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 300 В
• Ток стока: 35 А (импульсный до 236 А)
• Мощность рассеивания: 500 Вт
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Количество в комплекте: 5 шт.

Электрические параметры

Транзистор выдерживает напряжение между стоком и истоком 300 В и постоянный ток стока 35 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 236 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 56 мОм, а максимальная рассеиваемая мощность — 500 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO3PN. Монтаж осуществляется выводами в отверстия печатной платы (THT). Напряжение на затворе ограничено ±30 В, а суммарный заряд затвора равен 0,1 µC.

Комплектация

В упаковке находится 5 транзисторов ONSEMI FDA59N30.