Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA28N50, 500 В, 17 А, TO3PN (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA28N50 — это мощный полупроводниковый прибор в корпусе TO3PN, предназначенный для коммутации в силовых электронных схемах. Комплект из 10 единиц обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта оборудования.

• Напряжение сток-исток: 500 В
• Постоянный ток стока: 17 А
• Импульсный ток стока: 112 А
• Рассеиваемая мощность: 310 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 155 мОм
• Корпус: TO3PN, монтаж THT
• Комплектация: 10 шт.

Высокое напряжение и ток

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 500 В и выдерживает постоянный ток стока 17 А. Это позволяет использовать компонент в схемах, где требуется коммутация значительных нагрузок.

Импульсная мощность

Прибор способен выдерживать импульсный ток стока до 112 А и рассеивать мощность 310 Вт. Такие характеристики важны для схем с резкими пусковыми токами или кратковременными пиковыми нагрузками, обеспечивая стабильную работу без перегрева.

Технология UniFET™

Использование технологии DMOS и структуры UniFET™ обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (155 мОм). Это снижает потери энергии на нагрев и повышает общий КПД устройства, что критично для энергоэффективных систем.

Удобный монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO3PN с технологией монтажа THT (сквозные отверстия). Такое исполнение упрощает пайку на печатные платы. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, что определяет допустимые уровни управляющего сигнала. Заряд затвора равен 105 нКл, что влияет на скорость переключения и требования к драйверу. Транзистор является униполярным с каналом обогащения, что гарантирует отсутствие тока в закрытом состоянии без дополнительного управления.