Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F, 500 В, 14 А, TO3PN (набор 10 шт.)

3 670 ₴

  • В наличии
  • Код: TM018562
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F, 500 В, 14 А, TO3PN (набор 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F, 500 В, 14 А, TO3PN (набор 10 шт.)В наличии
3 670 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N50F — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в силовых электронных схемах. Модель рассчитана на напряжение сток-исток 500 В и постоянный ток 14 А, что делает её пригодной для промышленных и энергетических применений.

  • Напряжение сток-исток: 500 В
  • Ток стока: 14 А (импульсный до 96 А)
  • Рассеиваемая мощность: 270 Вт
  • Корпус: TO3PN, монтаж THT
  • Сопротивление в открытом состоянии: 0,2 Ом
  • Набор: 10 штук

Высокое напряжение и ток

Компонент выдерживает напряжение сток-исток до 500 В, что позволяет использовать его в сетях с повышенным напряжением. Номинальный ток стока составляет 14 А, а импульсный ток может достигать 96 А, обеспечивая надежную работу при кратковременных перегрузках.

Рассеиваемая мощность

Максимальная рассеиваемая мощность транзистора составляет 270 Вт. Это требует обязательного использования радиаторов или системы охлаждения для стабильной работы под нагрузкой.

Корпус и монтаж

Транзистор выполнен в корпусе TO3PN, что обеспечивает удобный монтаж на печатную плату или радиатор. Тип монтажа — THT (выводной), что гарантирует механическую прочность соединения в условиях вибраций.

Электрические параметры

Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,2 Ом, что минимизирует потери энергии при открытом канале. Заряд затвора составляет 85 нКл, а допустимое напряжение затвор-исток — ±30 В.

Комплектация

Товар поставляется набором из 10 штук, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.

Характеристики
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания270 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток30 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток500 В
Максимально допустимый ток стока14 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)200 mOm
Тип монтажаВставной
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте10 шт.
КорпусTO3PN
Информация для заказа
  • Цена: 3 670 ₴