Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA24N40F, 400В, 13,8А, TO3PN, набор 5 шт.
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM073632
Набор из 5 транзисторов ONSEMI FDA24N40F типа N-MOSFET в корпусе TO3PN. Предназначен для монтажа на плату (THT). Максимальная рассеиваемая мощность — 235 Вт.
- Тип: N-MOSFET, канал обогащенный
- Напряжение сток-исток: 400 В
- Ток стока: 13,8 А (импульсный 92 А)
- Мощность рассеивания: 235 Вт
- Корпус: TO3PN, монтаж THT
- Набор: 5 штук
Электрические параметры
Транзистор имеет напряжение сток-исток 400 В и постоянный ток стока 13,8 А. В импульсном режиме ток может достигать 92 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,19 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе TO3PN с выводами для монтажа на плату (THT). Максимальная рассеиваемая мощность — 235 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено ±30 В.
Заряд затвора и управление
Заряд затвора составляет 60 нКл, что определяет скорость переключения транзистора. Для надежного открывания канала напряжение затвор-исток не должно превышать ±30 В. Канал транзистора является обогащенным, поэтому для открытия требуется положительное напряжение на затворе относительно истока.
Комплектация
В упаковке находится 5 идентичных транзисторов ONSEMI FDA24N40F.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 235 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 400 В |
| Максимально допустимый ток стока | 13.8 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
- Цена: 2 160 ₴