Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA032N08, 70 В, 120 А, TO3PN (5 шт.)
2 030 ₴
- В наличии
- Код: TM073631
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDA032N08, 70 В, 120 А, TO3PN (5 шт.)В наличии
2 030 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 5 мощных N-канальных MOSFET-транзисторов ONSEMI FDA032N08 в корпусе TO3PN. Предназначены для коммутации токов до 120 А при напряжении 70 В.
- Ток стока 120 А, импульсный 940 А
- Напряжение сток-исток 70 В
- Сопротивление в открытом состоянии 3,2 мОм
- Корпус TO3PN, монтаж THT
- Рассеиваемая мощность 37,5 Вт
- Набор из 5 транзисторов
Мощность и ток
Транзисторы выдерживают постоянный ток стока 120 А и импульсный до 940 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 37,5 Вт. Тип транзистора — N-MOSFET, канал обогащенный, полярность униполярная.
Электрические параметры
Напряжение сток-исток (VDS) — 70 В, напряжение затвор-исток (VGS) — ±20 В. Сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)) — 3,2 мОм. Общий заряд затвора (Qg) — 0,22 мкКл.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе TO3PN с технологией PowerTrench®. Монтаж — выводной (THT). Производитель — ONSEMI, символ производителя — FDA032N08.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 37.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 70 В |
| Максимально допустимый ток стока | 120 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3.2 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO3PN |
| Технология | PowerTrench® |
Информация для заказа
- Цена: 2 030 ₴