Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP260N65S3, 650В, 12А, TO220-3 (набор 10 шт.)

Набор из 10 транзисторов ONSEMI FCP260N65S3 типа N-MOSFET в корпусе TO220-3. Предназначены для монтажа на плату (THT) в устройствах с напряжением до 650 В и током до 12 А.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 650 В
• Ток стока: 12 А (постоянный), 30 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 90 Вт
• Корпус: TO220-3, монтаж THT
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,26 Ом
• Заряд затвора: 24 нКл
• Количество в наборе: 10 шт.

Мощность и ток

Транзистор рассчитан на постоянный ток стока 12 А и импульсный ток до 30 А. Рассеиваемая мощность составляет 90 Вт, что позволяет использовать компонент в силовых схемах с умеренной нагрузкой.

Электрические параметры

Максимальное напряжение сток-исток равно 650 В, а напряжение затвор-исток — ±30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,26 Ом, что обеспечивает эффективную работу и минимальные потери при проводимости.

Заряд затвора

Заряд затвора (Qg) равен 24 нКл. Этот параметр влияет на скорость переключения и нагрузку на драйвер затвора, что важно для оптимизации управляющих сигналов в импульсных источниках питания.

Тип и монтаж транзистора

Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Монтаж выполняется в отверстия (THT) в корпусе TO220-3, что обеспечивает надежное крепление и отвод тепла. В комплекте поставляется 10 единиц транзисторов, что удобно для серийного производства или ремонта оборудования.