Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP11N60, 650 В, 11 А, TO220AB, комплект 10 шт.
3 250 ₴
- В наличии
- Код: TM035581
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP11N60, 650 В, 11 А, TO220AB, комплект 10 шт.В наличии
3 250 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FCP11N60 — это полупроводниковый прибор с каналом типа N и напряжением сток-исток 650 В. Комплект состоит из 10 единиц в корпусе TO220AB, что обеспечивает монтаж на плату (THT).
- Напряжение сток-исток: 650 В
- Ток стока: 11 А
- Рассеиваемая мощность: 125 Вт
- Корпус: TO220AB (монтаж THT)
- Технология: SuperFET®
- Комплект: 10 шт.
Тип транзистора и полярность
Транзистор является N-MOSFET с каналом типа N и униполярной структурой. Канал является обогащаемым (enhancement mode), что определяет принцип работы прибора. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±30 В, что ограничивает допустимые уровни управляющего сигнала.
Ток и мощность
Максимальный постоянный ток стока равен 11 А. Прибор способен рассеивать мощность до 125 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,38 Ом, что влияет на нагрев при работе.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 125 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Технология | SuperFET® |
Информация для заказа
- Цена: 3 250 ₴