Транзистор Infineon F4150R12KS4BOSA1, IGBT, 150 А, 1200 В, EconoPACK™ 3

IGBT-модуль Infineon F4150R12KS4BOSA1 — это полупроводниковый компонент в корпусе EconoPACK™ 3. Модуль объединяет два IGBT-транзистора в конфигурации полумоста с номинальным током коллектора 150 А и напряжением 1200 В.

• Номинальный ток коллектора 150 А
• Импульсный ток до 300 А
• Максимальное напряжение 1,2 кВ
• Рассеиваемая мощность 960 Вт
• Корпус EconoPACK™ 3 (AG-ECONO3-4)
• Монтаж Press-in PCB и прикручивание

Высокая мощность и ток

Модуль рассчитан на постоянный ток коллектора 150 А, а в импульсном режиме способен выдерживать до 300 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 960 Вт.

Надежная изоляция и управление

Максимальное обратное напряжение модуля достигает 1,2 кВ. Напряжение управления между затвором и эмиттером ограничено ±20 В.

Удобный монтаж и конструкция

Компонент выполнен в стандартном корпусе AG-ECONO3-4 (технология EconoPACK™ 3). Механическое крепление осуществляется прикручиванием, а электрический контакт реализован через технологию Press-in PCB.

Топология и структура

Внутренняя структура модуля включает два IGBT-транзистора, соединенных в полумост, а также NTC-термистор.