Биполярный транзистор NPN DXT5551-13 от Diodes Incorporated в корпусе SOT89. Комплект состоит из 40 единиц.
- Тип транзистора: биполярный NPN
- Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 160 В
- Максимально допустимый ток коллектора: 0,6 А
- Максимальная мощность рассеивания: 1,2 Вт
- Корпус: SOT89 (поверхностный монтаж)
- Количество в наборе: 40 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение коллектор-эмиттер 160 В и ток коллектора 0,6 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 1,2 Вт. Коэффициент усиления по току (hFE) находится в диапазоне 30–250.
Конструкция и монтаж
Изделие выполнено в поверхностном корпусе SOT89. Рабочий частотный диапазон составляет 100–300 МГц.
Комплектация
В упаковке содержится 40 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 160 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.6 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT89 |
| Частота | 100000000–300000000 |
Информация для заказа
- Цена: 2 380 ₴

