Транзистор ONSEMI DTA114EM3T5G — это биполярный PNP-транзистор в корпусе SOT723 со встроенными резисторами. Комплект состоит из 70 штук, предназначенных для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: PNP, биполярный
- Корпус: SOT723, монтаж SMD
- Напряжение коллектор-эмиттер: 50 В
- Ток коллектора: 100 мА
- Рассеиваемая мощность: 0,6 Вт
- Встроенные резисторы: 10 кОм (база, эмиттер-база)
- Количество в комплекте: 70 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер до 50 В и током коллектора 100 мА. Рассеиваемая мощность составляет 0,6 Вт. Коэффициент усиления (hFE) находится в диапазоне 35...60.
Встроенные резисторы
Модель DTA114EM3T5G является транзистором со встроенными резисторами (BRT). Сопротивление резистора базы и резистора эмиттер-база равно 10 кОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в компактном корпусе SOT723. Технология монтажа — SMD (поверхностный монтаж),
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | ON Semiconductor |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.6 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 50 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 0.1 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Биполярный |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 70 шт. |
| Корпус | SOT723 |
Информация для заказа
- Цена: 1 900 ₴

