
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3085LSD-13, комплект 40 шт., SO8
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM035497
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 40 транзисторов P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMP3085LSD-13. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе SO8. Каждый компонент представляет собой двойной P-канальный полевой транзистор с обогащенным каналом.
- Комплект из 40 транзисторов P-MOSFET
- Корпус SO8 для SMD-монтажа
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -3,1 А (до -20 А в импульсе)
- Рассеиваемая мощность: 1,1 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 70 мОм
Электрические параметры
Транзисторы работают при напряжении сток-исток до -30 В. Максимальный ток стока составляет -3,1 А, а в импульсном режиме — до -20 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 70 мОм.
Мощность и напряжение управления
Рассеиваемая мощность каждого транзистора — 1,1 Вт. Напряжение затвор-исток может изменяться в пределах ±20 В.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD). Транзисторы являются униполярными (P-типа). Каждый компонент содержит два транзистора в одном корпусе.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.1 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 70 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴
