Транзистор P-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMP3056LSD-13, SO8, 20 шт.
2 160 ₴
- В наличии
- Код: TM035496
Транзистор P-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMP3056LSD-13, SO8, 20 шт.В наличии
2 160 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Комплект из 20 транзисторов P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMP3056LSD-13. Это двойные полевые транзисторы с каналом обогащения в корпусе SO8 для поверхностного монтажа (SMD).
- Двойной P-MOSFET с каналом обогащения
- Напряжение сток-исток: -30 В
- Ток стока: -5,1 А
- Сопротивление в открытом состоянии: 65 мОм
- Рассеиваемая мощность: 2,5 Вт
- Корпус SO8, монтаж SMD
- Упаковка: 20 шт.
Электрические параметры
Транзисторы имеют напряжение сток-исток -30 В и ток стока -5,1 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 65 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность — 2,5 Вт.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SO8. Тип монтажа — SMD (поверхностный).
Комплектация
Упаковка содержит 20 транзисторов DMP3056LSD-13. Транзисторы являются униполярными (P-канальными). Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 65 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 160 ₴