Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3030SN-7, SMD SC59, -30В, 0,7А (40 шт.)

2 240 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073321
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3030SN-7, SMD SC59, -30В, 0,7А (40 шт.)
Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3030SN-7, SMD SC59, -30В, 0,7А (40 шт.)В наличии
2 240 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3030SN-7 — это униполярный компонент для электронных схем. Пакет содержит 40 единиц в корпусе SC59 для поверхностного монтажа (SMD).

  • Тип транзистора: P-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Напряжение сток-исток: -30 В
  • Ток стока: -0,7 А (постоянный), -2,8 А (импульсный)
  • Рассеиваемая мощность: 0,5 Вт
  • Корпус: SC59, монтаж SMD
  • Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет канал обогащения и работает при напряжении сток-исток до -30 В. Постоянный ток стока составляет -0,7 А, а импульсный ток может достигать -2,8 А. Максимальная рассеиваемая мощность равна 0,5 Вт, что определяет тепловые ограничения при работе.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе SC59, предназначенном для технологии SMD (поверхностного монтажа). Такое исполнение позволяет размещать транзистор на печатных платах без сверления отверстий.

Напряжение затвора и сопротивление канала

Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Сопротивление канала в открытом состоянии равно 0,45 Ом, что влияет на потери энергии при протекании тока.

Характеристики
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Максимальная мощность рассеивания0.5 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток20 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)450 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте40 шт.
КорпусSC59
Информация для заказа
  • Цена: 2 240 ₴