Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3028LK3-13, 30 шт., корпус TO252

Транзистор P-MOSFET Diodes Incorporated DMP3028LK3-13 в корпусе TO252 предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Комплект состоит из 30 штук, что обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта плат.

• Тип транзистора: P-MOSFET, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: -30 В
• Ток стока: -22 А (постоянный), -40 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 1,6 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 25 мОм
• Корпус: TO252, монтаж SMD
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток -30 В и постоянный ток стока -22 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до -40 А, что позволяет использовать компонент в схемах с кратковременными пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,6 Вт. Тип транзистора — P-MOSFET с каналом обогащения.

Сопротивление и управление

Сопротивление в состоянии проводимости равно 25 мОм, что минимизирует потери энергии и нагрев во время работы. Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В, что является максимально допустимым напряжением затвор-исток.

Монтаж и корпус

Компонент выполнен в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Такое исполнение обеспечивает компактность узла и удобство автоматизированной пайки на печатных платах. Полярность транзистора — униполярная, что упрощает подключение к схемам управления.