Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH45M7SCT, 40В, 155А, TO220AB (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMNH45M7SCT — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе TO220AB.## Комплектация

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 40 В
• Постоянный ток стока: 155 А, импульсный: 200 А
• Рассеиваемая мощность: 96 Вт
• Корпус: TO220AB, монтаж THT
• Количество в комплекте: 10 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 40 В и постоянный ток стока 155 А. Импульсный ток стока может достигать 200 А, что позволяет использовать компонент в схемах с высокими пиковыми нагрузками. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 96 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в стандартном корпусе TO220AB, что обеспечивает удобство крепления к радиатору для отвода тепла. Тип монтажа — выводной (THT), подходящий для ручной и автоматизированной пайки на печатные платы с отверстиями.

Управление и параметры затвора

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет допустимый диапазон управляющих сигналов. Суммарный заряд затвора равен 36,1 нКл, что влияет на скорость переключения транзистора. Сопротивление в состоянии проводности указано как 3,4 Ом, что характеризует потери при протекании тока через открытый канал.