Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6068SE-13, 60 В, 4,5 А, SOT223 (30 шт.)
1 930 ₴
- В наличии
- Код: TM073312
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6068SE-13, 60 В, 4,5 А, SOT223 (30 шт.)В наличии
1 930 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN6068SE-13 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для работы в электронных схемах. Комплект состоит из 30 единиц в корпусе SOT223 для поверхностного монтажа (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 60 В
- Максимальный ток стока: 4,5 А
- Рассеиваемая мощность: 2 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Комплектация: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 60 В и ток стока 4,5 А. Допустимое напряжение затвор-исток составляет ±20 В, что определяет диапазон управляющих сигналов.
Низкое сопротивление в открытом состоянии
Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 0,1 Ом. Этот параметр влияет на эффективность работы транзистора в цепи и тепловой режим при протекании тока.
Тепловые характеристики и мощность
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 1 930 ₴