Корзина
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- интернет магазин
Корзина

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набор 40 шт.)

2 230 ₴

  • В наличии
  • Код: TM073309
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набор 40 шт.)
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7, 30V, 2.2A, SOT23-3 (набор 40 шт.)В наличии
2 230 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3200U-7 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения, предназначенный для электронных схем. Комплект состоит из 40 единиц в корпусе SOT23-3 для поверхностного монтажа (SMD).

  • Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
  • Напряжение сток-исток: 30 В
  • Ток стока: 2,2 А (постоянный), 9 А (импульсный)
  • Рассеиваемая мощность: 0,65 Вт
  • Корпус: SOT23-3, монтаж SMD
  • Количество в комплекте: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 30 В и постоянным током стока 2,2 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 9 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,65 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 0,2 Ом.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SOT23-3. Монтаж выполняется методом SMD (поверхностный монтаж). Напряжение затвор-исток ограничено ±8 В.

Характеристики
Основные
ПроизводительDiodes Incorporated
Максимальная мощность рассеивания0.65 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток8 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток30 В
Максимально допустимый ток стока2.2 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)200 mOm
Тип монтажаПоверхностный
Тип транзистораПолевой
Пользовательские характеристики
Количество в комплекте40 шт.
КорпусSOT23-3
Информация для заказа
  • Цена: 2 230 ₴