Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3033LSN-7, 30V, 5A, SC59 (набор 30 шт.)
2 130 ₴
- В наличии
- Код: TM073308
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3033LSN-7, 30V, 5A, SC59 (набор 30 шт.)В наличии
2 130 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 30 транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMN3033LSN-7. Компоненты в корпусе SC59 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и рассчитаны на напряжение 30 В и ток 5 А.
- Тип: N-MOSFET, униполярный
- Напряжение сток-исток: 30 В
- Ток стока: 5 А
- Рассеиваемая мощность: 1,4 Вт
- Корпус: SC59, монтаж SMD
- Количество в наборе: 30 шт.
Основные электрические параметры
Транзистор является униполярным N-MOSFET с каналом обогащения. Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а максимальный ток стока — 5 А. Сопротивление в открытом состоянии равно 40 мОм.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SC59 для технологии поверхностного монтажа (SMD). В упаковке поставляется 30 одинаковых транзисторов.
Напряжение на затворе и рассеиваемая мощность
Максимальное напряжение на затворе составляет ±20 В. Рассеиваемая мощность компонента равна 1,4 Вт.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 40 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SC59 |
Информация для заказа
- Цена: 2 130 ₴