Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3032LE-13, 30 В, 4,1 А, SOT223 (набор 30 шт.)
2 440 ₴
- В наличии
- Код: TM073307
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3032LE-13, 30 В, 4,1 А, SOT223 (набор 30 шт.)В наличии
2 440 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3032LE-13 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение 30 В и постоянный ток 4,1 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение «сток-исток»: 30 В
- Постоянный ток «стока»: 4,1 А
- Импульсный ток «стока»: 25 А
- Рассеиваемая мощность: 1,8 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 29 мОм
- Корпус: SOT223, монтаж SMD
- Количество в комплекте: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор работает при напряжении «сток-исток» до 30 В и выдерживает импульсный ток до 25 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,8 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 29 мОм.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в корпусе SOT223. Монтаж осуществляется методом SMD (поверхностный монтаж).
Комплектация
Товар поставляется набором из 30 транзисторов. Максимальное напряжение «затвор-исток» составляет ±20 В.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 1.8 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 4.1 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 29 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Информация для заказа
- Цена: 2 440 ₴