Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3024SFG-13, 30В, 8,5А, комплект 60 шт.

Комплект из 60 транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMN3024SFG-13. Предназначены для поверхностного монтажа (SMD) в корпусе PowerDI3333-8. Основные параметры: напряжение 30 В, ток 8,5 А, рассеиваемая мощность 1,4 Вт.

• Тип: N-MOSFET, униполярный, с обогащенным каналом
• Напряжение сток-исток: 30 В
• Ток стока: 8,5 А (импульсный до 60 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 33 мОм
• Рассеиваемая мощность: 1,4 Вт
• Корпус: PowerDI3333-8, монтаж SMD
• Комплект: 60 шт.

Тип и канал

Компонент является униполярным N-MOSFET с обогащенным каналом. Такая структура обеспечивает управление током с помощью напряжения на затворе без постоянного управляющего тока.

Напряжение и ток

Максимальное напряжение между стоком и истоком составляет 30 В, а допустимое напряжение на затворе — ±25 В. Номинальный ток стока равен 8,5 А, что определяет рабочий режим устройства.

Импульсный ток и сопротивление

В импульсном режиме транзистор выдерживает пиковый ток до 60 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) составляет 33 мОм, что снижает потери энергии при прохождении тока.