Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3016LSS-13, 30 В, 9,5 А, SO8 (набор 30 шт.)
2 460 ₴
- В наличии
- Код: TM073303
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3016LSS-13, 30 В, 9,5 А, SO8 (набор 30 шт.)В наличии
2 460 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Набор из 30 транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMN3016LSS-13. Компоненты в корпусе SO8 предназначены для поверхностного монтажа (SMD) и имеют максимальную мощность рассеивания 2 Вт.
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 9,5 А
- Импульсный ток стока: 80 А
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Корпус: SO8, монтаж SMD
- Количество в наборе: 30 шт.
Электрические параметры
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 30 В и постоянный ток стока 9,5 А. В импульсном режиме допустимый ток может достигать 80 А.
Корпус и монтаж
Компоненты выполнены в корпусе SO8 с типом монтажа SMD.
Комплект поставки
В наборе поставляется 30 транзисторов.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9.5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 16 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SO8 |
Информация для заказа
- Цена: 2 460 ₴