Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3009SK3-13, 30 В, 16 А, TO252 (30 шт.)
2 610 ₴
- В наличии
- Код: TM018393
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN3009SK3-13 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 16 А при напряжении 30 В. Упаковка из 30 штук обеспечивает необходимое количество элементов для серийного монтажа или ремонта оборудования.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 30 В
- Постоянный ток стока: 16 А
- Импульсный ток стока: 100 А
- Корпус: TO252 (SMD монтаж)
- Сопротивление в открытом состоянии: 9 мОм
- Рассеиваемая мощность: 3,4 Вт
- Количество в комплекте: 30 шт.
Компактный корпус для поверхностного монтажа
Компонент выполнен в корпусе TO252, что позволяет использовать технологию SMD для плотного размещения на печатных платах. Такой формат экономит место на плате и упрощает автоматизированный монтаж в производственных условиях.
Эффективная коммутация тока
Транзистор работает с постоянным током стока 16 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 100 А.
Низкие потери и надежность
Сопротивление в открытом состоянии составляет 9 мОм. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 3,4 Вт. Напряжение затвор-исток составляет ±20 В. Заряд затвора равен 42 нКл.
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 3.4 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 16 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 9 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | TO252 |
- Цена: 2 610 ₴