Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B, 20V, 0.96A, X1-DFN1006-3 (60 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Транзистор Diodes Incorporated DMN2300UFB4-7B поставляется комплектом из 60 штук.

• Тип транзистора: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 0,96 А
• Мощность рассеивания: 0,5 Вт
• Сопротивление в состоянии проводимости: 0,5 Ом
• Корпус: X1-DFN1006-3, монтаж SMD
• Защита: версия ESD
• Комплектация: 60 шт.

Электрические параметры и мощность

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и выдерживает ток стока 0,96 А. Максимальное напряжение между затвором и истоком ограничено ±8 В.

Мощность и сопротивление

Мощность рассеивания составляет 0,5 Вт, а сопротивление в состоянии проводимости равно 0,5 Ом.

Компонент выполнен в корпусе X1-DFN1006-3 с монтажом SMD. Транзистор имеет версию ESD (защита от электростатического разряда).