Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2020LSN-7, 20V, 4.5A, SC59 (набор 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2020LSN-7 — это униполярный компонент с каналом обогащения. Пакет содержит 40 единиц в корпусе SC59 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET, униполярный, канал обогащения
• Напряжение сток-исток: 20 В
• Ток стока: 4,5 А (постоянный), 30 А (импульсный)
• Рассеиваемая мощность: 0,61 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 20 мОм
• Корпус: SC59 (SMD), версия ESD
• Количество в наборе: 40 шт.

Электрические параметры

Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 20 В и постоянный ток стока 4,5 А. В импульсном режиме допустимый ток достигает 30 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,61 Вт, а сопротивление в открытом состоянии — 20 мОм.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе SC59 для поверхностного монтажа (SMD). Компонент имеет версию ESD.

Напряжение затвора и сопротивление канала

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±12 В. Сопротивление в состоянии проводности равно 20 мОм. Эти параметры определяют условия управления транзистором и его электрические характеристики в открытом состоянии.