
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005K-7, SOT23, 20 В, 0,3 А (набор 40 шт.)
2 060 ₴
- В наличии
- Код: TM073293
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компании подключены электронные платежи. Теперь вы можете купить любой товар не покидая сайта.
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN2005K-7 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для поверхностного монтажа (SMD). Товар поставляется набором из 40 штук в корпусе SOT23.
- Тип транзистора: N-MOSFET с каналом обогащения
- Максимальное напряжение сток-исток: 20 В
- Постоянный ток стока: 0,3 А (импульсный: 0,6 А)
- Корпус SOT23 для поверхностного монтажа (SMD)
- Набор из 40 транзисторов
- Рассеиваемая мощность: 0,35 Вт
Электрические параметры
Транзистор работает с напряжением сток-исток до 20 В и постоянным током стока 0,3 А. В импульсном режиме допустимый ток возрастает до 0,6 А, а максимальная рассеиваемая мощность составляет 0,35 Вт. Сопротивление в открытом состоянии равно 3,5 Ом.
Корпус и монтаж
Компонент выполнен в стандартном корпусе SOT23. Тип монтажа SMD (поверхностный). Версия ESD указывает на наличие защиты от электростатического разряда.
Транзистор DMN2005K-7 — N-канальный MOSFET в корпусе SOT23.
Характеристики
| Основные | |
|---|---|
| Производитель | Diodes Incorporated |
| Максимальная мощность рассеивания | 0.35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 10 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 3500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Пользовательские характеристики | |
| Версия | ESD |
| Количество в комплекте | 40 шт. |
| Корпус | SOT23 |
Информация для заказа
- Цена: 2 060 ₴
