Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN10H220LK3-13, 100В, 4,7А, TO252 (30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated DMN10H220LK3-13 — это униполярный компонент с каналом обогащения, предназначенный для коммутации тока до 4,7 А при напряжении 100 В. Пакет содержит 30 единиц в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD).

• Тип: N-MOSFET с каналом обогащения
• Напряжение сток-исток: 100 В
• Ток стока: 4,7 А (импульсный до 30 А)
• Сопротивление в открытом состоянии: 0,25 Ом
• Корпус: TO252 (SMD монтаж)
• Количество в комплекте: 30 шт.

Электрические параметры

Транзистор работает с напряжением сток-исток до 100 В и постоянным током стока 4,7 А. Импульсный ток может достигать 30 А. Сопротивление в открытом состоянии составляет 0,25 Ом. Максимальная рассеиваемая мощность — 7,5 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO252 для поверхностного монтажа (SMD). Напряжение затвор-исток ограничено ±20 В.

Комплектация

В пакет входит 30 транзисторов Diodes Incorporated DMN10H220LK3-13.