Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN1025UFDB-7, 12 В, 5,5 А, корпус U-DFN2020-6 (100 шт.)

Транзистор N-MOSFET x2 Diodes Incorporated DMN1025UFDB-7 — это униполярный компонент с двумя каналами в одном корпусе U-DFN2020-6. Комплект состоит из 100 штук, предназначен для монтажа по технологии SMD.

• Тип: N-MOSFET x2 (два транзистора в одном корпусе)
• Напряжение сток-исток: 12 В
• Ток стока: 5,5 А (в импульсе до 35 А)
• Корпус: U-DFN2020-6, монтаж SMD
• Рассеиваемая мощность: 1,7 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии: 38 мОм
• Количество в комплекте: 100 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет напряжение сток-исток 12 В и номинальный ток стока 5,5 А. В импульсном режиме ток стока может достигать 35 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 1,7 Вт.

Корпус и монтаж

Компонент выполнен в корпусе U-DFN2020-6. Монтаж осуществляется методом поверхностного монтажа (SMD). Канал транзистора является обогащаемым (enhancement mode).